过MEMS，LED，以及LCD的不断洗礼，两个人对晶圆工艺已经不陌生了。

　　在后世，人们一提起半导体设备，被津津乐道的，就是光刻机。大家普遍认为，光刻机是中国在半导体工艺上落后的唯一瓶颈。

　　这句话对，也不对。

　　对，是因为，中国在半导体工艺领域，被甩得最远的代表设备就是光刻机。

　　其他设备，例如蚀刻设备等，它们与国际先进水平，即使有些差距，差距也没有这么大，甚至某些设备，国产设备已经开始反攻国际市场。

　　光刻机决定半导体制程的情况，仅仅是出现在2005年之后。这就是地球人都知道的，ASML的天王山之战。

　　ASML在浸入式光刻机上，打了场翻身仗，一举把日本的几家竞争对手掀翻在地，从而奠定了在光刻机市场的垄断地位。

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　　但实际上，在2005年的前后，决定半导体芯片制程的几个核心技术，都不是光刻机。因为此时，光波的波长，还没有撞到极限（193nm）.

　　中国已经有了微米的光刻机，但是其他辅助工艺，达不到这么高的精度。

　　几十年来，对光刻设备的要求主要基于摩尔定律，通过减小波长和增大数值孔径（NA）来获得更高分辨率。

　　但是激光的可用波长就那么几个，激光波长减少几次，就无以为继了。

　　2004年开始，光刻机就开始使用193nm波长的DUV激光，谁也没想到，光刻光源被卡在193nm无法进步长达十几年。

　　哪怕采用了沉浸式光刻机，也仅仅是使晶圆工艺成功突破了几个节点。

　　过了一段时间，半导体工艺的工艺演进路线，再次遇到了类似的问题。后世的14nm，10nm，7nm的技术突破。都不是通过升级光刻机来实现的。

　　在光刻机无法升级的情况下，为了突破这个障碍，人们开始寻找别的突围方向。

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　　随着科学家们的脑洞大开，一个行之有效的方法，真的被找到了！

　　更为可喜的是，这个方法思路非常简单，而且特别适合这个时代。

　　在完全在不改变设备技术水平的情况下，可以提高晶圆的制程！

　　之所以这个方法没有被广泛宣传，是因为所有的晶圆厂都在使用。大家都在用的技术，自然就失去了神秘性和趣味性。

　　灯下黑，指的就是这种情况。

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