度，除了提高光刻机精度以外，普遍采用的就是多层图案技术，其中又以林晶圆的看家秘籍，LELE技术为主流。
除了多层图案技术，还有几个发展方向，多层封装技术就是其中之一。
提高芯片的集成度，本质上来说，就是提高单位面积上晶体管数目的过程。
LELE技术，把一个图层分批加工刻蚀，达到图案增密的效果。
多层封装，干脆就是把多层芯片摞在一起。
这多简单。
（在中芯国际发生的，梁孟松辞职案，梁孟松与蒋尚义之间的分歧，就是LELE技术与多层封装路线之争。）
多层芯片技术成熟后，在内存，Flash闪存等领域得到了普及。因为这些芯片的图案，各层之间是一致的。
于是内存芯片的层数，就开始了不断增长的过程。后世投入商用的层数，高达256层了。
在3D封装技术的加持下，内存芯片上的有效晶体管密度，算起来，早就低于1纳米了，甚至低于纳米！
林晶圆的多层封装技术，经过近两年的探索，即将进入实用阶段。
多层封装中最困难的步骤，就是层间打孔技术。
这个技术一突破，剩下的就没有什么了。
在3D封装技术的加持下，林晶圆的内存产品，即将面世。
张百华团队，将被独立出来，成立内存事业部，将来甚至会被分拆。
虽然Flash闪存市场还没有成气候，但仅仅是RAM内存一块，其市场规模和容量，就达到数千亿美元级别，接近，甚至超过TFT液晶了。
这个市场，林晶圆无法独享，但是先手一步棋的价值，至少以百亿美元计算。
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“师姐，张师兄他们的内存马上要面世了，你的真三维芯片什么时候面世呢？”
一群人来了兴致。
真三维芯片，肯定比假三维来得高大上啊。
“嗯，我也不知道。现在有很多困难。我感觉弄不好十年之内都实用不了。”
魏惜寒团队研究的东西，被后世称为FinFET，和GAP。至于是否真的是同一个东西，就连成永兴也无法确认。
3维芯片面世的主要难点在于加工成本，和材料。
虽然3维结构的半导体原件，有很多优点，例如更低的电流损耗，更高的密度等。但不是所有半导体器件都能做成三维结构。
在同一层电路上，有些是三维结构，有些是二维的，那么在向上加工的时候，就会在高层空间上产生浪费现象。
所以，采用3维芯片结构，获得的收益，远远低于付出的加工成本。后世是在14纳米遇阻的情况下，硬着头皮突破的。
“就这样光研究，没有产出？”
大家闻言，失望之情，溢于言表。
“暂时是这样，不过也不能算没有收获。至少专利申请了一大堆。”
即
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